K2387 是 N 沟道功率 MOS 场效应管，属于 TO-220 封装的高压大功率 MOS 管，主要应用在开关电源 逆变器 电机驱动 充电器这类功率开关电路，核心特点是耐压高 导通电阻低 开关速度较快，适合中高压大电流开关场合，需要注意，不同厂商同型号 K2387 的参数会存在小幅差异，代换或者设计 PCB 的时候，必须以你手上器件原厂 datasheet 数据手册为准，网上汇总参数只作为选型参考，不能直接当成绝对定值，部分翻新拆机管参数衰减，实测值会比标称值偏低。
核心电气参数表
| 参数名称 | 符号 | 典型标称值 | 单位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | VDSS | 900 | V | 漏极源极最大耐压 |
| 栅源耐压 | VGSS | ±30 | V | 栅极源极允许最大电压 |
| 连续漏极电流 | ID | 8 | A | 25℃壳温下持续电流 |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 32 | A | 短时间脉冲峰值电流 |
| 最大耗散功率 | PD | 150 | W | 带规定散热片条件 |
| 导通电阻 | RDS(on) | 1.8 | Ω | VGS=10V 条件下 |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | 2~4 | V | 开启门槛电压 |
| 封装形式 | - | TO-220AB | - | 三脚直插封装 |
| 沟道类型 | - | N 沟道增强型 | - | 电压控制型 MOSFET |
| 结温范围 | Tj | -55 ~ +150 | ℃ | 工作结温区间 |
引脚定义
1 脚 栅极 G
2 脚 漏极 D
3 脚 源极 S
器件特性说明
1 N 沟道增强型，VGS 大于阈值电压之后管子导通，VGS 低于阈值管子关断，属于电压驱动，驱动电流很小，但是栅极存在电容，高频开关需要考虑栅极充放电。
2 900V 高压等级，适合反激开关电源 高压逆变，但是导通电阻 1.8Ω 相对偏大，大电流持续工作发热明显，必须配套合适散热片。
3 开关速度属于常规功率 MOS 水平，不适合超高频谐振电路，如果工作频率很高，需要评估开关损耗。
4 栅极很脆弱，静电容易击穿，焊接 装配的时候需要防静电操作，栅极悬空容易误导通损坏管子。
选型与代换要点
1 代换原则：新管子 VDSS ≥900V，ID ≥8A，RDS (on) 接近，封装一致，VGS 驱动电压兼容原有驱动电路。
2 如果原电路是高频低损耗需求，K2387 导通电阻偏高，长期满载温升会比较大，设计时要核算功耗。
3 不要把它和 K2387 其他特殊定制版本混淆，部分厂家后缀不同，参数会修改，后缀信息必须核对手册。
参数核对查询步骤
1 确认器件表面丝印是否完整 K2387，区分是否是拆机翻新管。
2 查找原厂官方 datasheet，核对 VDSS ID RDS (on) 功耗 结温等关键参数。
3 电路设计前，计算最大工作电压 峰值电流 导通损耗 开关损耗，确认留有余量。
4 上机测试前，确认驱动 VGS 幅值，不要超过 ±30V 栅源耐压，防止栅极击穿。
总结
K2387 是 TO-220 封装 N 沟道增强型高压 MOS 场效应管，标称 VDSS 900V，ID 8A，PD 150W，RDS (on) 1.8Ω，主要用于高压功率开关，实际设计代换务必查阅原厂数据手册，散热与静电防护是使用重点。
【常见问题】
问题 1 K2387 场效应管参数是 P 沟道吗
回答 1 K2387 场效应管参数对应的是 N 沟道增强型 MOS 管，不是 P 沟道，电路驱动逻辑和 P 沟道相反，不能直接互换。
问题 2 K2387 场效应管参数没有散热片可以满载工作吗
回答 2 K2387 场效应管参数里 PD 150W 是带散热片条件，没有散热片不能长期满载，管子会过热击穿。
问题 3 K2387 场效应管参数可以用什么型号代换
回答 3 K2387 场效应管参数代换优先选 900V 8A 同 TO220 封装 N 沟 MOS，比如同规格高压 MOS，代换前核对 RDS (on) 和驱动阈值。
【免责申明】
本内容为 K2387 场效应管公开通用参数整理，不同厂商版本存在差异，设计维修请以原厂官方 datasheet 为准，功率器件涉及高压，电路调试请注意用电安全，本内容不构成电路设计保证。