20埃工艺将在2024年1月前进入风险生产阶段18A工艺将在2024年2月前准备就绪

Angstrom时代即将开始，英特尔最新的路线图显示该公司正在保持“迅猛的步伐”，不仅要保持在正轨上，还要加快交付时间。随着不断缩小的硅与物理量子效应的冲击作斗争，缩小节点变得越来越困难，这就是后纳米时代的切入点。一埃——也就是一纳米被分解成10片——将是低于2纳米(或20埃)的工艺节点的首选术语，并且将是首批使用ASML的高NAEUV设备首次亮相的工艺(可能是18A)。然而，更有趣的是，看起来英特尔实际上提前了。

英特尔透露了另一份路线图汇编信息，该信息已存在于公共领域，并确认其即将推出的4nm工艺已准备好制造。值得注意的是，该公司提到节点“准备好制造”的流程与他们预计该流程处于风险生产中的时间线相对应。这意味着Intel4今天处于风险生产阶段。向前推断，这可能意味着[警告：有根据的推测]MeteorLake不会像某些报道所指出的那样被推迟，而是会在2023年的某个时候启动，而不是2024年——正如公司最初计划的那样[/有根据的推测]。

无论如何，该公司还透露，18A工艺(应该基于ASML的高NAEUV光刻技术)计划在2H2024之前进入风险生产。然而，在不久的将来最重要的技术飞跃将是发生在20A上——这将同时引入RibbonFET和PowerVias。RibbonFET是一种环栅或纳米片晶体管架构，应该像FinFET一样延长摩尔定律的保质期。这将与PowerVia背面功率传输相结合，后者是公司技术开发总经理AnnBKelleher领导的另一项技术创新。

“摩尔定律是关于增加功能的集成，”凯莱赫说。“当我们展望未来10到20年时，将会有一条充满创新的管道”

当被问及即将在20A工艺上向RibbonFET和PowerVias的技术过渡，以及考虑到公司在10nm工艺上的失误所涉及的潜在风险时，AnnKelleher有以下说法：

“他们不必立即完成，但我们看到转向PowerVia以启用[RibbonFET]技术的显着好处，......这一直非常成功，它使我们能够加快我们的开发工作，”-AnnBKelleher，英特尔技术开发总经理来源：IEEE

2021年的旧英特尔路线图将18A流程与2025年初的“开发”挂钩。

因此，考虑到英特尔在向10nm的过渡中跌跌撞撞，这些路线图的可靠性如何?好吧，不管你信不信，有很多证据表明英特尔实际上比计划提前了6个月。这是我们之前讨论过的内容，而在10nm方面，英特尔一直在推迟其发布，它实际上已将18A的发布从2025年的开发带回到2024年下半年的制造准备就绪(阅读：风险生产)——这是一个相当大的交易。对于患有10nm创伤后应激障碍的投资者来说，知道不仅该过程步入正轨，而且英特尔实际上似乎提前了计划，这应该会让他们松一口气。

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