在IEDM上，英特尔研究院展示了摩尔定律如何生效以及Chipzilla计划如何在2030年之前提供具有万亿晶体管的下一代芯片。
新闻稿：在IEDM2022上，在晶体管诞生75周年之际，英特尔的目标是将封装技术的密度提高10倍，并使用厚度仅为3个原子的新型材料来推进晶体管微缩。
最新消息：今天，英特尔公布了多项研究突破，推动其创新管道在未来十年内保持摩尔定律在封装上实现万亿晶体管。在2022年IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，英特尔研究人员展示了3D封装技术的进步，密度提高了10倍;超越RibbonFET的二维晶体管新型材料，包括仅3个原子厚的超薄材料;用于更高性能计算的能源效率和内存的新可能性;和量子计算的进步。
“自晶体管发明75年以来，推动摩尔定律的创新继续满足世界对计算呈指数级增长的需求。在IEDM2022上，英特尔展示了突破当前和未来障碍所需的前瞻性和具体研究进展，满足这种永无止境的需求，并在未来几年保持摩尔定律的活力。”
IEDM上发生的事情：为纪念晶体管问世75周年，英特尔执行副总裁兼技术开发总经理AnnKelleher博士将主持IEDM的全体会议。Kelleher将概述持续行业创新的前进道路——围绕基于系统的战略凝聚生态系统，以满足世界对计算日益增长的需求，并更有效地创新以摩尔定律的步伐前进。会议主题为“庆祝晶体管问世75周年!看看摩尔定律创新的演变”，太平洋标准时间12月5日星期一上午9:45举行。
为何重要：摩尔定律对于解决世界上永无止境的计算需求至关重要，因为激增的数据消费和对人工智能(AI)增长的推动带来了有史以来最大的需求加速。
持续创新是摩尔定律的基石。在过去二十年中，个人电脑、图形处理器和数据中心的许多关键创新里程碑，包括应变硅、Hi-K金属栅极和FinFET，都始于英特尔的组件研究小组.进一步的研究，包括RibbonFET环栅(GAA)晶体管、PowerVia背面功率传输技术，以及EMIB和FoverosDirect等封装突破，都在今天的路线图上。
在IEDM2022上，英特尔的组件研究小组展示了其在三个关键领域进行创新以延续摩尔定律的承诺：新的3D混合键合封装技术可实现小芯片的无缝集成;超薄二维材料，可将更多晶体管装入单个芯片;以及用于更高性能计算的能源效率和内存的新可能性。
我们如何做：ComponentsResearchGroup的研究人员发现了新材料和新工艺，它们模糊了封装和硅之间的界限。我们揭示了将摩尔定律扩展到封装上万亿晶体管的关键后续步骤，包括可以实现额外10倍互连密度的先进封装，从而产生准单片芯片。英特尔的材料创新还确定了实用的设计选择，这些选择可以使用仅3个原子厚的新型材料满足晶体管缩放的要求，从而使公司能够继续扩展到RibbonFET之外。
英特尔推出用于下一代3D封装的准单片芯片：
英特尔在IEDM2022上展示的最新混合键合研究表明，与英特尔在IEDM2021上的研究展示相比，功率和性能密度又提高了10倍。
持续混合键合缩放到3微米间距可实现与单片系统级芯片连接相似的互连密度和带宽。
英特尔希望通过超薄“2D”材料将更多晶体管安装到单个芯片上：
英特尔展示了一种全栅堆叠纳米片结构，它使用仅3个原子厚的2D沟道材料，同时在室温下以低漏电流实现了双栅结构上晶体管近乎理想的开关。这是堆叠GAA晶体管和超越硅的基本限制所需的两个关键突破。
研究人员还揭示了对二维材料的电接触拓扑结构的首次综合分析，这可以进一步为高性能和可扩展的晶体管通道铺平道路。