【什么是背照式CMOS】背照式CMOS（Backside Illumination, BSI）是一种在图像传感器中广泛应用的结构设计，主要用于提高相机在低光环境下的成像质量。与传统的前照式CMOS相比，背照式CMOS通过改变光线进入传感器的方式，显著提升了感光效率和画质表现。
在传统前照式CMOS中，光线需要穿过金属线路和电路层才能到达感光像素点，这会带来一定的遮挡和损耗，影响成像效果。而背照式CMOS则将传感器的光电层置于最外侧，使光线可以直接照射到感光区域，从而减少光路损失，提升进光量和感光能力。这种设计特别适用于手机摄像头、数码相机等对画质要求较高的设备。
背照式CMOS对比表格
| 项目 | 前照式CMOS | 背照式CMOS |
| 光线路径 | 穿过金属线路和电路层 | 直接照射到感光层 |
| 感光效率 | 较低 | 更高 |
| 低光表现 | 较差 | 更好 |
| 成本 | 较低 | 较高 |
| 应用场景 | 一般消费级设备 | 高端手机、相机 |
| 工艺复杂度 | 较简单 | 较复杂 |
| 图像噪点 | 较多 | 较少 |
背照式CMOS技术的出现，标志着图像传感器在性能上的重要突破。它不仅提高了成像质量，还为后续的高分辨率、高动态范围等技术发展奠定了基础。随着技术的不断进步，背照式CMOS已经成为现代摄影设备中不可或缺的核心组件之一。