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第二位爆料者发布了为GalaxyS24Ultra提供动力的芯片组的传闻规格

时间:2023-03-13 11:33:14 来源:
导读 前几天,我们传递了一些关于Snapdragon8Gen3SoC的传闻规格。来自名为RGcloudS的Twitter推特,根据推特,高通公司的下一代顶级应用处理器(AP

前几天,我们传递了一些关于Snapdragon8Gen3SoC的传闻规格。来自名为RGcloudS的Twitter推特,根据推特,高通公司的下一代顶级应用处理器(AP)将看到X-4高性能内核的时钟速度提高15%至3.70GHz.但另一条推文,这条推文来自一位自称为技术爱好者和三星粉丝的Revegnus,其中包含一些不同的芯片组传闻规格。

两种传闻都称骁龙8Gen3将由台积电使用后者的4nm工艺节点制造。但传闻中的规格之间存在一些重大差异。虽然RGcloudS预计即将推出的芯片组将具有1个高性能X-4核心、4个性能核心和3个效率核心,类似于Snapdragon8Gen2,但Revegnus认为是1-5-2配置。

Revegnus预计X-4高性能内核将以3.20GHz的时钟速度运行,这与X-3内核在当前Gen2芯片组上的运行速度相同。他还预计该芯片将配备5个运行频率为3.0GHz的Cortex-A720性能内核。剩下2个运行在2.0GHz的Cortex-A520效率内核。他指出,该芯片将配备Adreno750GPU、SnapdragonX755G调制解调器(能效提升20%),并支持LPDDR5RAM和通用闪存(UFS)4.1。

推特爆料者揭示了传闻中的骁龙8Gen3SoC规格——第二位爆料者发布了传闻中的芯片组规格,该芯片组将为GalaxyS24Ultra提供动力

推特推特揭示了传闻中的骁龙8Gen3SoC规格

明年可以在三星GalaxyS24系列的引擎盖下找到该芯片组。上个月我们告诉您,该SoC可能会在10月由高通公司推出,这比去年11月发布的骁龙8Gen2SoC公告早了一个月。

一个有趣的笔记。两位爆料者可能都在关注芯片组的构建方式。考虑到苹果今年已经锁定了台积电的所有3nm生产,新芯片似乎有可能再次使用台积电的4nm工艺节点生产,这实际上是一个增强的5nm节点。

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请记住,为Galaxy手机打造的特别版Snapdragon8Gen2采用高性能X-3内核,超频15%至3.36GHz。我们假设适用于Galaxy的骁龙8Gen3也将配备超频高性能X-4内核。

我们还有几个月的时间才能看到这个组件的出现,这样我们就可以看到更多传闻中的规格。敬请关注。

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