高通的下一代旗舰芯片组Snapdragon8Gen3据称在Geekbench的单核和多核测试中将获得1,800和6,500分。它将采用台积电的N4P工艺制造，而不是某些传闻中所宣称的N3E工艺。
到目前为止，台积电制造的QualcommSnapdragon8Gen2已经证明了自己的能力，甚至在真实世界的游戏测试中击败了Apple最好的芯片。它的直接继任者，假定的Snapdragon8Gen2Plus，除了略微提高时钟速度外，几乎没有什么改进。另一方面，2024年的旗舰Snapdragon8Gen3(暂定)有可能碾压A17Bionic，至少在多核方面是这样。
来自微博的谣言(来自Meeco.kr)称，Snapdragon8Gen3在单核和多核基准测试中的Geekbench分数可以高达1,800和6,500。前者与A16Bionic的最佳成绩1,847分相去甚远，而后者则介于该成绩(5,382)和AppleM1(7,143)之间。与当前一代骁龙8Gen2(Geekbench中的~1,500/,5,240分)相比，它在单核和多核性能方面分别提高了近20%和24%。
没有关于Snapdragon8Gen3规格的消息，但它可能具有一个Cortex-X3内核以及三个/四个Cortex-A720(暂定)和四个/三个Cortex-A510内核。据推测，它将采用台积电的N4P工艺制造，而不是之前传闻所暗示的N3E。然而，有一份报告称，一些设备可以在三星的3GAA节点上制造。这似乎不太可能，因为它可能会导致Chipgate2.0。
它的继任者，即2025年推出的第四代骁龙8(暂定)，据说具有6+2配置，采用Nuvia基于Oryon的PhoenixL和PhoenixM内核。它还将成为首款采用台积电N3E工艺制造的高通处理器。一旦Nuvia的12核笔记本电脑芯片在2024年首次亮相，人们应该大致了解Nuvia内核在现实世界中的表现如何。