美光削减DRAM和NAND产量以减少价格下跌

由于对商品存储器的需求迅速恶化和价格下降，美光立即将3DNAND和DRAM的晶圆启动量与上一季度相比减少了20%。该公司现在预计其3DNAND比特产量在下一个日历年将微不足道地增长，而其DRAM比特产量将在2023年减少。

为了应对3DNAND和DRAM内存需求放缓的问题，与截至2022年9月1日的2022财年第四季度相比，美光将晶圆开工量减少约20%。削减将涵盖所有技术节点美光用于大批量生产，因此基本上该公司正在削减几乎所有类型产品的产量。

美光正在进行的2023财年第一季度将于12月初结束，因此今天减少晶圆开工量几乎不会对公司本季度或市场的业绩产生重大影响。由于3DNAND和DRAM的生产和测试/封装周期都相当长，市场将在几周内感受到美光减产的影响。与此同时，现货价格可能会更快地对美光的公告做出反应。

但目前的晶圆开工削减将对公司整个2023财年的产出产生影响，因为美光预计其DRAM比特产量将下降，而其3DNAND比特产量将在“个位数百分比范围内”增长。

美光今年夏天开始生产232层3DNAND内存，并于今天早些时候开始在其1β(1-beta)制造工艺上制造LPDDR5X内存。这两个新的生产节点将使美光能够降低成本并增加比特产量，但该公司在9月下旬警告说，它将减缓232L3DNAND和1βDRAM产量的增长，以限制比特产量。Micron的232层3DNAND设备具有2,400MT/s的接口，旨在实现具有PCIe5.0x4接口的最快的SSD，其顺序读取速度将超过目前可用的最佳SSD，顺序读取速度为12.4GB/s。

美光还在9月披露，其2023财年的资本支出总额约为80亿美元，比2022财年下降30%。削减将主要涉及新晶圆厂设备的采购，这将减缓公司最新制造技术的采用。由于该公司正在爱达荷州建设新工厂，该公司的建设资本支出预计将增加一倍以上。今天，该公司表示正在“努力进一步削减资本支出”，但没有详细说明。

美光首席执行官SanjayMehrotra表示：“美光正在采取大胆而积极的措施来减少比特供应增长，以限制我们的库存规模。”“我们将继续监测行业状况并根据需要进行进一步调整。尽管近期存在周期性挑战，但我们对市场的长期需求驱动因素仍然充满信心，并且从长远来看，预计内存和存储收入增长将超过半导体行业的其余部分。”

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